Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы — биполярные (BJT) — массивы, с предварительным смещением
Diodes Incorporated
Производители
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Diodes Incorporated
Производители
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH11/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Diodes Incorporated
Производители
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH11/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH11/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH13/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH13/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH13/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH9/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH9/SOT1268/DFN1412-6
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Описание
Nexperia USA Inc.
Производители
PRMH9/SOT1268/DFN1412-6
Описание