Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V SOT800
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET NCHA 65V 7DB SOT171A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143
Описание