Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Broadcom Limited
Производители
FET RF 5V 2GHZ SOT-343
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 66V 880MHZ TO-270-4
Описание
Broadcom Limited
Производители
FET RF 5V 2GHZ SOT-343
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
Описание
Broadcom Limited
Производители
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK
Описание
NXP USA Inc.
Производители
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Описание
Broadcom Limited
Производители
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK
Описание
NXP USA Inc.
Производители
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Описание
Broadcom Limited
Производители
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK
Описание
NXP USA Inc.
Производители
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Описание
NXP USA Inc.
Производители
RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW
Описание
Broadcom Limited
Производители
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 133V 512MHZ NI-360
Описание
Broadcom Limited
Производители
IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 70V 748MHZ OM780-2
Описание
Broadcom Limited
Производители
FET RF 5V 2GHZ SOT-343
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 70V 920MHZ NI-780S
Описание
Broadcom Limited
Производители
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
Описание
NXP USA Inc.
Производители
RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC RF LDMOS TRANS CELL
Описание