Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
Описание
Infineon Technologies
Производители
FET RF LDMOS 80W H37265-2
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231
Описание
Infineon Technologies
Производители
Infineon Technologies
Производители
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
Описание
Infineon Technologies
Производители
IC AMP RF LDMOS H-37265-2
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
Описание
Infineon Technologies
Производители
Ampleon USA Inc.
Производители
BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP
Описание
Infineon Technologies
Производители
RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
Описание
Infineon Technologies
Производители
RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
Описание
Infineon Technologies
Производители
IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
Описание
Infineon Technologies
Производители
Infineon Technologies
Производители
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
Описание
M/A-Com Technology Solutions
Производители
FET RF 160V 6GHZ 14DFN
Описание
Infineon Technologies
Производители
IC AMP RF LDMOS H-37265-2
Описание