Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
Описание
NXP USA Inc.
Производители
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 120V 1.3GHZ NI780
Описание
NXP USA Inc.
Производители
1030MHZ 750W NI780GS-4L
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF N-CH 125W 50V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 100V 1.4GHZ
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 100V 1.4GHZ
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC TRANS RF LDMOS
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC TRANS RF LDMOS
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC TRANS RF LDMOS
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC TRANS RF LDMOS
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
Описание