Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF LDMOS 250W 32V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF LDMOS 250W 32V
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
Описание
NXP USA Inc.
Производители
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L
Описание
NXP USA Inc.
Производители
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583
Описание
NXP USA Inc.
Производители
250W AF17 2450MHZ NI780
Описание
NXP USA Inc.
Производители
250W AF17 2450MHZ NI780
Описание
NXP USA Inc.
Производители
250W AF17 2450MHZ NI780
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
Описание
NXP USA Inc.
Производители
GAN 2.2GHZ 250W NI400S4S
Описание