Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
Описание
STMicroelectronics
Производители
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
Описание
Microsemi Corporation
Производители
MOSF RF N CH 250V 20A M177
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 50V 440162
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание