Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 7MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 7MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 7MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 7MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC RF SWITCH SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC RF SWITCH SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC RF SWITCH SOT143B
Описание
STMicroelectronics
Производители
RF MOSFET N CH 80V 12A M243
Описание
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B
Описание
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
Описание