Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
Описание
STMicroelectronics
Производители
FET RF 65V 860MHZ M246
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 28V 440095
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A
Описание
Cree/Wolfspeed
Производители
RF MOSFET HEMT 50V 440162
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230
Описание
NXP USA Inc.
Производители
HIGH POWER RF TRANSISTOR
Описание
NXP USA Inc.
Производители
HIGH POWER RF TRANSISTOR
Описание