Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - IGBT - Модули
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Описание
Microsemi Corporation
Производители
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Описание
Vishay Semiconductor Diodes Division
Производители
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Описание
Vishay Semiconductor Diodes Division
Производители
IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Описание
Vishay Semiconductor Diodes Division
Производители
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Описание
Vishay Semiconductor Diodes Division
Производители
IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Описание
ON Semiconductor
Производители
Microsemi Corporation
Производители
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Описание
Vishay Semiconductor Diodes Division
Производители
IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Описание
Infineon Technologies
Производители
IGBT MODULE 600V 30A
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 650V 50A ACEPACK1
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK1
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1
Описание
Infineon Technologies
Производители
IGBT MODULE 600V 450A
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 650V 50A ACEPACK2
Описание
STMicroelectronics
Производители
IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2
Описание