Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - IGBT - Модули
Microsemi Corporation
Производители
IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 200A 961W SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT NPT PHASE 600V 230A D1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 230A 730W D1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 230A 730W D1
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 220A 833W SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT DUAL SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 220A 833W SP4
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 300A 1400W D3
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 300A 1400W D3
Описание