Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - IGBT - Одиночные
Infineon Technologies
Производители
IGBT 600V 100A 330W TO247AC
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 900V 78A 337W TO247
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 650V 208A 892W T-MAX
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 229A 625W TMAX
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 88A 500W TO247
Описание
IGBT 650V 310A 940W TO264
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 600V 183A 780W TO264
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Описание
Microsemi Corporation
Производители
IGBT 1200V 135A 781W TO264
Описание
IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
430V 20A IGNITION IGBT
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
430V 20A IGNITION IGBT
Описание
Rohm Semiconductor
Производители
430V 20A IGNITION IGBT
Описание
Diodes Incorporated
Производители
IGBT600V-XITO-220AB
Описание
STMicroelectronics
Производители
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Описание
Infineon Technologies
Производители
IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3
Описание
ON Semiconductor
Производители
IGBT 600V 10A TO220F3
Описание
Infineon Technologies
Производители
IGBT 600V 14.7A 35.7W TO220-3
Описание
Infineon Technologies
Производители
IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Описание