onsemi (Ansemi)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
номер части
NCP5106BDR2G
Категория
Power Chip > Gate Driver IC
Производитель/Бренд
onsemi (Ansemi)
Инкапсуляция
SOIC-8-150mil
Упаковка
taping
Количество упаковок
2500
Описание
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 75348 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Электронные компоненты
NCP5106BDR2G Продажи
NCP5106BDR2G Поставщик
NCP5106BDR2G Распределитель
NCP5106BDR2G Таблица данных
NCP5106BDR2G Фото
NCP5106BDR2G Цена
NCP5106BDR2G Предложение
NCP5106BDR2G Низшая цена
NCP5106BDR2G Поиск
NCP5106BDR2G Покупка
NCP5106BDR2G Chip