onsemi (Ansemi)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NRVBS410LT3G 10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V

NRVBS410LT3G

10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V
номер части
NRVBS410LT3G
Категория
diode > Schottky diode
Производитель/Бренд
onsemi (Ansemi)
Инкапсуляция
SMC (DO-214AB)
Упаковка
taping
Количество упаковок
2500
Описание
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system. Typical applications are AC-DC and DC-DC, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 99224 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NRVBS410LT3G
NRVBS410LT3G Электронные компоненты
NRVBS410LT3G Продажи
NRVBS410LT3G Поставщик
NRVBS410LT3G Распределитель
NRVBS410LT3G Таблица данных
NRVBS410LT3G Фото
NRVBS410LT3G Цена
NRVBS410LT3G Предложение
NRVBS410LT3G Низшая цена
NRVBS410LT3G Поиск
NRVBS410LT3G Покупка
NRVBS410LT3G Chip