Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
CDBDSC8650-G

CDBDSC8650-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
номер части
CDBDSC8650-G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
D-PAK (TO-252)
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Ток – средний выпрямленный (Io)
25.5A (DC)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
1.7V @ 8A
Ток – обратная утечка @ Vr
100µA @ 650V
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
650V
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0ns
Рабочая температура - соединение
-55°C ~ 175°C
Емкость @ Вр, Ф
550pF @ 0V, 1MHz
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51933 PCS
Контактная информация
Ключевые слова CDBDSC8650-G
CDBDSC8650-G Электронные компоненты
CDBDSC8650-G Продажи
CDBDSC8650-G Поставщик
CDBDSC8650-G Распределитель
CDBDSC8650-G Таблица данных
CDBDSC8650-G Фото
CDBDSC8650-G Цена
CDBDSC8650-G Предложение
CDBDSC8650-G Низшая цена
CDBDSC8650-G Поиск
CDBDSC8650-G Покупка
CDBDSC8650-G Chip