Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
TB10S-G

TB10S-G

BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS
номер части
TB10S-G
Производитель/Бренд
Статус детали
Obsolete
Технологии
Standard
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
4-SMD, Gull Wing
Пакет устройств поставщика
4-TBS
Тип диода
Single Phase
Напряжение — пиковое обратное (макс.)
1kV
Ток – средний выпрямленный (Io)
800mA
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
950mV @ 400mA
Ток – обратная утечка @ Vr
10µA @ 1000V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47535 PCS
Контактная информация
Ключевые слова TB10S-G
TB10S-G Электронные компоненты
TB10S-G Продажи
TB10S-G Поставщик
TB10S-G Распределитель
TB10S-G Таблица данных
TB10S-G Фото
TB10S-G Цена
TB10S-G Предложение
TB10S-G Низшая цена
TB10S-G Поиск
TB10S-G Покупка
TB10S-G Chip