Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2007C
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
номер части
EPC2007C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die Outline (5-Solder Bar)
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.2nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
220pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31980 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2007C
EPC2007C Электронные компоненты
EPC2007C Продажи
EPC2007C Поставщик
EPC2007C Распределитель
EPC2007C Таблица данных
EPC2007C Фото
EPC2007C Цена
EPC2007C Предложение
EPC2007C Низшая цена
EPC2007C Поиск
EPC2007C Покупка
EPC2007C Chip