Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2010
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
номер части
EPC2010
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
540pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43732 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2010
EPC2010 Электронные компоненты
EPC2010 Продажи
EPC2010 Поставщик
EPC2010 Распределитель
EPC2010 Таблица данных
EPC2010 Фото
EPC2010 Цена
EPC2010 Предложение
EPC2010 Низшая цена
EPC2010 Поиск
EPC2010 Покупка
EPC2010 Chip