Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2010C
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
номер части
EPC2010C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die Outline (7-Solder Bar)
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
22A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5.3nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
540pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27654 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2010C
EPC2010C Электронные компоненты
EPC2010C Продажи
EPC2010C Поставщик
EPC2010C Распределитель
EPC2010C Таблица данных
EPC2010C Фото
EPC2010C Цена
EPC2010C Предложение
EPC2010C Низшая цена
EPC2010C Поиск
EPC2010C Покупка
EPC2010C Chip