Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
номер части
EPC2012
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
145pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -5V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33217 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2012
EPC2012 Электронные компоненты
EPC2012 Продажи
EPC2012 Поставщик
EPC2012 Распределитель
EPC2012 Таблица данных
EPC2012 Фото
EPC2012 Цена
EPC2012 Предложение
EPC2012 Низшая цена
EPC2012 Поиск
EPC2012 Покупка
EPC2012 Chip