Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2012C
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
номер части
EPC2012C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die Outline (4-Solder Bar)
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
140pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41737 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2012C
EPC2012C Электронные компоненты
EPC2012C Продажи
EPC2012C Поставщик
EPC2012C Распределитель
EPC2012C Таблица данных
EPC2012C Фото
EPC2012C Цена
EPC2012C Предложение
EPC2012C Низшая цена
EPC2012C Поиск
EPC2012C Покупка
EPC2012C Chip