Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2014C
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
номер части
EPC2014C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die Outline (5-Solder Bar)
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25736 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2014C
EPC2014C Электронные компоненты
EPC2014C Продажи
EPC2014C Поставщик
EPC2014C Распределитель
EPC2014C Таблица данных
EPC2014C Фото
EPC2014C Цена
EPC2014C Предложение
EPC2014C Низшая цена
EPC2014C Поиск
EPC2014C Покупка
EPC2014C Chip