Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2015
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
номер части
EPC2015
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die Outline (11-Solder Bar)
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
33A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 9mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1200pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -5V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33560 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2015
EPC2015 Электронные компоненты
EPC2015 Продажи
EPC2015 Поставщик
EPC2015 Распределитель
EPC2015 Таблица данных
EPC2015 Фото
EPC2015 Цена
EPC2015 Предложение
EPC2015 Низшая цена
EPC2015 Поиск
EPC2015 Покупка
EPC2015 Chip