Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2015C
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
номер части
EPC2015C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
53A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 9mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.7nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1000pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51715 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2015C
EPC2015C Электронные компоненты
EPC2015C Продажи
EPC2015C Поставщик
EPC2015C Распределитель
EPC2015C Таблица данных
EPC2015C Фото
EPC2015C Цена
EPC2015C Предложение
EPC2015C Низшая цена
EPC2015C Поиск
EPC2015C Покупка
EPC2015C Chip