Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2016
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
номер части
EPC2016
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
520pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -5V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6732 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2016
EPC2016 Электронные компоненты
EPC2016 Продажи
EPC2016 Поставщик
EPC2016 Распределитель
EPC2016 Таблица данных
EPC2016 Фото
EPC2016 Цена
EPC2016 Предложение
EPC2016 Низшая цена
EPC2016 Поиск
EPC2016 Покупка
EPC2016 Chip