Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2016C
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
номер части
EPC2016C
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
18A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
420pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30933 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2016C
EPC2016C Электронные компоненты
EPC2016C Продажи
EPC2016C Поставщик
EPC2016C Распределитель
EPC2016C Таблица данных
EPC2016C Фото
EPC2016C Цена
EPC2016C Предложение
EPC2016C Низшая цена
EPC2016C Поиск
EPC2016C Покупка
EPC2016C Chip