Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2019
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
номер части
EPC2019
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
270pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47054 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2019
EPC2019 Электронные компоненты
EPC2019 Продажи
EPC2019 Поставщик
EPC2019 Распределитель
EPC2019 Таблица данных
EPC2019 Фото
EPC2019 Цена
EPC2019 Предложение
EPC2019 Низшая цена
EPC2019 Поиск
EPC2019 Покупка
EPC2019 Chip