Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2020ENGR
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
номер части
EPC2020ENGR
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1800pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 39022 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2020ENGR
EPC2020ENGR Электронные компоненты
EPC2020ENGR Продажи
EPC2020ENGR Поставщик
EPC2020ENGR Распределитель
EPC2020ENGR Таблица данных
EPC2020ENGR Фото
EPC2020ENGR Цена
EPC2020ENGR Предложение
EPC2020ENGR Низшая цена
EPC2020ENGR Поиск
EPC2020ENGR Покупка
EPC2020ENGR Chip