Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2021
TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
номер части
EPC2021
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
90A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 14mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1650pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 37082 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2021
EPC2021 Электронные компоненты
EPC2021 Продажи
EPC2021 Поставщик
EPC2021 Распределитель
EPC2021 Таблица данных
EPC2021 Фото
EPC2021 Цена
EPC2021 Предложение
EPC2021 Низшая цена
EPC2021 Поиск
EPC2021 Покупка
EPC2021 Chip