Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2022
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
номер части
EPC2022
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1500pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11518 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2022
EPC2022 Электронные компоненты
EPC2022 Продажи
EPC2022 Поставщик
EPC2022 Распределитель
EPC2022 Таблица данных
EPC2022 Фото
EPC2022 Цена
EPC2022 Предложение
EPC2022 Низшая цена
EPC2022 Поиск
EPC2022 Покупка
EPC2022 Chip