Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2023
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
номер части
EPC2023
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2300pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
-
ВГС (Макс)
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 52200 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2023
EPC2023 Электронные компоненты
EPC2023 Продажи
EPC2023 Поставщик
EPC2023 Распределитель
EPC2023 Таблица данных
EPC2023 Фото
EPC2023 Цена
EPC2023 Предложение
EPC2023 Низшая цена
EPC2023 Поиск
EPC2023 Покупка
EPC2023 Chip