Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2023ENG
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
номер части
EPC2023ENG
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tray
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2300pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 37211 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2023ENG
EPC2023ENG Электронные компоненты
EPC2023ENG Продажи
EPC2023ENG Поставщик
EPC2023ENG Распределитель
EPC2023ENG Таблица данных
EPC2023ENG Фото
EPC2023ENG Цена
EPC2023ENG Предложение
EPC2023ENG Низшая цена
EPC2023ENG Поиск
EPC2023ENG Покупка
EPC2023ENG Chip