Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2025
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
номер части
EPC2025
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
194pF @ 240V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23750 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2025
EPC2025 Электронные компоненты
EPC2025 Продажи
EPC2025 Поставщик
EPC2025 Распределитель
EPC2025 Таблица данных
EPC2025 Фото
EPC2025 Цена
EPC2025 Предложение
EPC2025 Низшая цена
EPC2025 Поиск
EPC2025 Покупка
EPC2025 Chip