Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2029
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
номер части
EPC2029
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
48A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
13nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1410pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32613 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2029
EPC2029 Электронные компоненты
EPC2029 Продажи
EPC2029 Поставщик
EPC2029 Распределитель
EPC2029 Таблица данных
EPC2029 Фото
EPC2029 Цена
EPC2029 Предложение
EPC2029 Низшая цена
EPC2029 Поиск
EPC2029 Покупка
EPC2029 Chip