Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2030ENGRT
MOSFET NCH 40V 31A DIE
номер части
EPC2030ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
31A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
18nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1900pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5827 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2030ENGRT
EPC2030ENGRT Электронные компоненты
EPC2030ENGRT Продажи
EPC2030ENGRT Поставщик
EPC2030ENGRT Распределитель
EPC2030ENGRT Таблица данных
EPC2030ENGRT Фото
EPC2030ENGRT Цена
EPC2030ENGRT Предложение
EPC2030ENGRT Низшая цена
EPC2030ENGRT Поиск
EPC2030ENGRT Покупка
EPC2030ENGRT Chip