Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2031ENGRT
MOSFET NCH 60V 31A DIE
номер части
EPC2031ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
31A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1800pF @ 300V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29416 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2031ENGRT
EPC2031ENGRT Электронные компоненты
EPC2031ENGRT Продажи
EPC2031ENGRT Поставщик
EPC2031ENGRT Распределитель
EPC2031ENGRT Таблица данных
EPC2031ENGRT Фото
EPC2031ENGRT Цена
EPC2031ENGRT Предложение
EPC2031ENGRT Низшая цена
EPC2031ENGRT Поиск
EPC2031ENGRT Покупка
EPC2031ENGRT Chip