Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2032
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
номер части
EPC2032
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
48A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 11mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1530pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29301 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2032
EPC2032 Электронные компоненты
EPC2032 Продажи
EPC2032 Поставщик
EPC2032 Распределитель
EPC2032 Таблица данных
EPC2032 Фото
EPC2032 Цена
EPC2032 Предложение
EPC2032 Низшая цена
EPC2032 Поиск
EPC2032 Покупка
EPC2032 Chip