Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2036
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
номер части
EPC2036
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.91nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
90pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22746 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2036
EPC2036 Электронные компоненты
EPC2036 Продажи
EPC2036 Поставщик
EPC2036 Распределитель
EPC2036 Таблица данных
EPC2036 Фото
EPC2036 Цена
EPC2036 Предложение
EPC2036 Низшая цена
EPC2036 Поиск
EPC2036 Покупка
EPC2036 Chip