Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2039ENGRT
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
номер части
EPC2039ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
210pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48761 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT Электронные компоненты
EPC2039ENGRT Продажи
EPC2039ENGRT Поставщик
EPC2039ENGRT Распределитель
EPC2039ENGRT Таблица данных
EPC2039ENGRT Фото
EPC2039ENGRT Цена
EPC2039ENGRT Предложение
EPC2039ENGRT Низшая цена
EPC2039ENGRT Поиск
EPC2039ENGRT Покупка
EPC2039ENGRT Chip