Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2045ENGRT
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
номер части
EPC2045ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
16A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
685pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23423 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2045ENGRT
EPC2045ENGRT Электронные компоненты
EPC2045ENGRT Продажи
EPC2045ENGRT Поставщик
EPC2045ENGRT Распределитель
EPC2045ENGRT Таблица данных
EPC2045ENGRT Фото
EPC2045ENGRT Цена
EPC2045ENGRT Предложение
EPC2045ENGRT Низшая цена
EPC2045ENGRT Поиск
EPC2045ENGRT Покупка
EPC2045ENGRT Chip