Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2047ENGRT
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
номер части
EPC2047ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 7mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10.2nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1050pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45969 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT Электронные компоненты
EPC2047ENGRT Продажи
EPC2047ENGRT Поставщик
EPC2047ENGRT Распределитель
EPC2047ENGRT Таблица данных
EPC2047ENGRT Фото
EPC2047ENGRT Цена
EPC2047ENGRT Предложение
EPC2047ENGRT Низшая цена
EPC2047ENGRT Поиск
EPC2047ENGRT Покупка
EPC2047ENGRT Chip