Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
номер части
EPC2100
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 49911 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2100
EPC2100 Электронные компоненты
EPC2100 Продажи
EPC2100 Поставщик
EPC2100 Распределитель
EPC2100 Таблица данных
EPC2100 Фото
EPC2100 Цена
EPC2100 Предложение
EPC2100 Низшая цена
EPC2100 Поиск
EPC2100 Покупка
EPC2100 Chip