Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2101
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
номер части
EPC2101
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A, 38A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36331 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2101
EPC2101 Электронные компоненты
EPC2101 Продажи
EPC2101 Поставщик
EPC2101 Распределитель
EPC2101 Таблица данных
EPC2101 Фото
EPC2101 Цена
EPC2101 Предложение
EPC2101 Низшая цена
EPC2101 Поиск
EPC2101 Покупка
EPC2101 Chip