Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2101ENG
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
номер части
EPC2101ENG
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Tray
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A, 38A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30383 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2101ENG
EPC2101ENG Электронные компоненты
EPC2101ENG Продажи
EPC2101ENG Поставщик
EPC2101ENG Распределитель
EPC2101ENG Таблица данных
EPC2101ENG Фото
EPC2101ENG Цена
EPC2101ENG Предложение
EPC2101ENG Низшая цена
EPC2101ENG Поиск
EPC2101ENG Покупка
EPC2101ENG Chip