Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2101ENGRT
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
номер части
EPC2101ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A, 38A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 15199 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT Электронные компоненты
EPC2101ENGRT Продажи
EPC2101ENGRT Поставщик
EPC2101ENGRT Распределитель
EPC2101ENGRT Таблица данных
EPC2101ENGRT Фото
EPC2101ENGRT Цена
EPC2101ENGRT Предложение
EPC2101ENGRT Низшая цена
EPC2101ENGRT Поиск
EPC2101ENGRT Покупка
EPC2101ENGRT Chip