Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2105
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
номер части
EPC2105
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A, 38A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47096 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2105
EPC2105 Электронные компоненты
EPC2105 Продажи
EPC2105 Поставщик
EPC2105 Распределитель
EPC2105 Таблица данных
EPC2105 Фото
EPC2105 Цена
EPC2105 Предложение
EPC2105 Низшая цена
EPC2105 Поиск
EPC2105 Покупка
EPC2105 Chip