Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2105ENG
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
номер части
EPC2105ENG
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Bulk
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A, 38A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 40V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 17604 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2105ENG
EPC2105ENG Электронные компоненты
EPC2105ENG Продажи
EPC2105ENG Поставщик
EPC2105ENG Распределитель
EPC2105ENG Таблица данных
EPC2105ENG Фото
EPC2105ENG Цена
EPC2105ENG Предложение
EPC2105ENG Низшая цена
EPC2105ENG Поиск
EPC2105ENG Покупка
EPC2105ENG Chip