Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2105ENGRT
MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
номер части
EPC2105ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9.5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
300pF @ 40V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23010 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2105ENGRT
EPC2105ENGRT Электронные компоненты
EPC2105ENGRT Продажи
EPC2105ENGRT Поставщик
EPC2105ENGRT Распределитель
EPC2105ENGRT Таблица данных
EPC2105ENGRT Фото
EPC2105ENGRT Цена
EPC2105ENGRT Предложение
EPC2105ENGRT Низшая цена
EPC2105ENGRT Поиск
EPC2105ENGRT Покупка
EPC2105ENGRT Chip