Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2106ENGRT
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
номер части
EPC2106ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
75pF @ 50V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11124 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT Электронные компоненты
EPC2106ENGRT Продажи
EPC2106ENGRT Поставщик
EPC2106ENGRT Распределитель
EPC2106ENGRT Таблица данных
EPC2106ENGRT Фото
EPC2106ENGRT Цена
EPC2106ENGRT Предложение
EPC2106ENGRT Низшая цена
EPC2106ENGRT Поиск
EPC2106ENGRT Покупка
EPC2106ENGRT Chip