Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2107
MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
номер части
EPC2107
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
9-VFBGA
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.7A, 500mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42675 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2107
EPC2107 Электронные компоненты
EPC2107 Продажи
EPC2107 Поставщик
EPC2107 Распределитель
EPC2107 Таблица данных
EPC2107 Фото
EPC2107 Цена
EPC2107 Предложение
EPC2107 Низшая цена
EPC2107 Поиск
EPC2107 Покупка
EPC2107 Chip